据报道，膜结构充电桩充电系统中的存储模块分为两部分，一个存储芯片是fm24clo4b，它存储直流充电桩系统本身的一些重要参数；另一个存储芯片是大容量at45db161dtu，它将历史数据存储在计费交易记录中。
为了保持充电桩系统重要参数存储的稳定性，防范数据丢失或误操作，膜结构系统的设计放弃了MCU内部EEPROM的使用，采用了良好的数据存储电路。存储器采用铁电存储器fm24clo4b，芯片通过IC串行扩展总线与MCU通信，SCL提供时钟，SDA进行数据传输，数据交换采用全双工方式。该芯片是一种非易失性铁电随机串行存储器，具有512字节的内部存储空间、100亿次的读写次数、10年的断电数据、1MHz的总线速度和写入数据的无延迟。膜结构充电桩系统的工作电压为3.3V，工作电流为150ua。它采用8针SOIC封装。
为了防范充电桩系统在运行或通电过程中误写芯片，系统采用可控供电方式，即当MCU工作稳定且需要读写数据时，芯片通电。为了存储计费事务和记录历史测量数据，系统选择高容量存储器at45db161dtu。存储器使用模拟SPI（串行外围接口）读取和写入数据。该芯片是一个带有串行接口的闪存，用于数据交换。电源电压低。适用于数字、图像、软件程序等文件的存储。它的内存空间被划分为8192页，每页可以存储512字节的数据。
膜结构充电桩系统中的芯片支持快速串行接口，可以高速读写。该快速串行接口与SPI数据交换格式兼容，具有越高的工作频率66hz和28针SOIC封装。
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